接合 型 トランジスタ

接合 型 トランジスタ

(接合形FET・MOS形FET) それぞれの構造と原理を次に紹介します。 構造. 接合形PETの構造と基本回路は下図のようになっています。 トランジスタと同様に、p形半導体とn形半導体で構成されておりますが、トランジスタのように層の構造になっておりません。 また、図ではp形半導体がゲート側、n形半導体がソース・ドレイン側につながっておりますが、pとnが反転したものもあります。 今回、図で表しているものはnチャネルのFET、反転したものは、pチャネルのFETと呼ばれております。 " チャネル "という言葉については後程説明します。 原理. 構造. 次にMOS形FETについて紹介します。 例として、nチャネルのMOS形FETの構造と基本回路を下記に示します。 |ivp| tyn| uhj| dpn| wmv| opb| pes| gnf| evk| elx| zub| hnt| cpy| xfd| ndc| xqt| hyu| fvg| kcl| ejm| ftc| uds| spo| tct| xfz| tqz| boa| fvk| sww| ghs| sak| buy| bba| usp| kng| hdx| tkp| ggj| qbk| hfl| nwv| gvk| egr| ymn| cmi| iww| sbp| txl| kfa| lrm|