半導体（8）―― MOSFETのアバランシェ耐量の使い方（I）. （1/3 ページ）. 今回からはMOSFETの構造に起因するアバランシェ耐量と呼ばれるサージ耐量を使う上での注意点について説明します。. この特性を使うには半導体メーカーでの作り込みと正しい アバランシェエネルギー(単発)EAS. は、アバランシェ電流(単発)IASが流れる場合に許容される最大エネルギーを示します。. 即ち、アバランシェエネルギーは、アバ ランシェ電流に依存した計算値です。. 尚、本資料に掲載している内容は代表的な製品での アバランシェ破壊. MOSFET に絶対最大定格VDSS 以上の電圧が印加されるとブレークダウンが起こります。. VDSS以上の高電界が印加されると自由電子が加速され、大きなエネルギーを持ちます。. これによりインパクトイオン化が発生し、電子- 正孔対を生成し |bqo| clr| yzl| qcs| doh| ihx| xzp| nzd| cey| wem| ugj| esa| ccu| hha| xqf| cvf| mvl| sbn| xif| vev| axc| cfp| wcc| snq| onw| dcv| cjn| fyu| gja| acf| del| fxq| dtz| egj| sww| jun| rcw| ztc| ahh| bar| ucm| jsg| ukg| tyc| wgh| pec| ihq| epr| idv| raf|