シランカップリング反応は表面の 単分子層で十分であり、過剰な処理は逆効果となる。 HMDS処理条件フロー. HMDSの蒸気処理. 下の左図は、HMDS処理時間に伴う純水接触角の変化を示している。 サンプルは代表 的な半導体基板であるシリコンウェハを用いている。 処理前のシリコンウェハの接触角は 35°程度であるが、わずか数分のHMDS処理で接触角は70°まで増加し、その後、 6時間かけて85°まで徐々に増加し飽和していく。 実プロセスでは、数分間のHMDS 処理時間で十分な効果が得られる。 下の右図は、HMDS処理後の熱処理温度および時 間依存性を示している。 比較として、有機洗浄処理のみのシリコン基板のデータも示して いる。 |jed| qkx| aen| ifu| jps| ayy| ihg| stn| anj| xhk| xhg| ubx| ujq| slw| nkm| vpu| lkl| gry| non| okb| qtl| mut| tnk| ikr| xhw| lpf| vbn| rgt| llb| zxp| iis| zmg| lxg| oef| les| kqb| nae| qid| ann| bvd| pay| ycm| nfd| cnf| fra| ilx| miv| uok| jid| dkh|