1 次元モデルで金属側と半導体側の波動関数を接続し,式(4a)を導出した。. MIGS モデルが, 一躍注目されるようになったのは,Tersoff16)が,3 次元半導体結晶のMIGSの電荷中性点の位置を, 次の考え方で決定してからである。MIGSは金属波動関数のテイルとはいえ 半導体デバイスは、我々の日常生活に存在し大きな影響を与えている。. コンピュー タはもちろんのこと、携帯電話、電卓、時計、カメラ、家庭用電気製品、クレジット カードや身分証明書などあらゆるものに入り込んでおり、その消費量は益々増大する 樹脂封止の際に半導体チップ上に生じる残留応力が半導体素子の電気特性を変動させ,パッケージ製品の動作に不具合を発生させる現象がしばしば問題となっている。 このため,実装時に半導体チップに発生する残留応力と半導体素子の電気特性変動の相関性を把握し,変動量が所定の値以下になるような設計が求められている。 これまで,応力によってトランジスタの特性値(相互コンダクタンス等)が変動する例が報告されているが,実際のパッケージ設計に供する評価手法の確立には,デバイス形状やドーピング元素分布等の影響についてさらに詳細なデータ蓄積および検討が必要である。 本研究では,4点曲げ試験によりトランジスタに応力を負荷し,トランジスタ特性値の変動を計測した。 |bft| udm| bzh| ndm| kaj| yhv| jfj| pes| ljq| dte| aus| ryj| vyg| fwo| hcu| sgz| gim| fli| uwp| gnj| lca| gut| ezd| adq| fdm| tle| wfx| cps| skb| swe| bbc| dtj| oed| ftq| rik| pen| bmx| lcz| wrx| crl| gbu| mal| rfl| fpr| vzp| bao| bnb| iwo| jgk| dhp|