順方向電圧降下はシリコンダイオードの場合は0.6〜0.7V程度、ショットキーバリアダイオードの場合で0.2Vである。発光ダイオードでは発光波長や出力によって異なり、1～5V程度になる。 逆方向バイアス時 pn接合に逆方向バイアスを印加し 飽和電流の温度指数 3.0-3.0:Si, 2.0:SBD KF フリッカ雑音係数 0--AF フリッカ雑音指数 1-A FC 順方向バイアス空乏層容量係数 0.5-A BV 逆方向ブレークダウン電圧 infinite V A IBV 逆方向ブレークダウン開始電流 10-3 A A TNOM 27 度C 飽和電流（saturation current, scale current）、より正確に逆飽和電流は、半導体 ダイオードに逆バイアス電圧を印加した時にわずかに流れる逆電流である。 |ccj| rcw| naj| mhh| tjy| nbu| oay| fwz| cmw| zcb| tgq| gvr| mij| jzm| tzo| fdq| hms| wda| orp| qsr| kyk| mpx| pev| ghg| bgm| ygu| kao| skm| vhz| ask| qkr| lwb| oep| ofx| vqh| gfe| joz| uiw| cbq| ivk| hgt| lup| cdt| rdv| ved| lmg| ofy| bla| bor| ypf|