量子ドットの伝導を考える際に,まず重要になるのが単電子効果である.これは,電磁気的に孤立した系に電荷電子を付け加えることで有限の静電エネルギーが変化し,これによるエネルギー増加が温度揺らぎよりも大きい場合に電子の移動過程が禁止される FK効果は高電界印加によって光吸収係数が変化する現象であり、Geにおいても波長1580 nm付近での光吸収係数の上昇が報告されている [2]。 さらにアバランシェ効果も感度上昇に有効であるとされる。 アバランシェ効果は高電界印加で起こる電子雪崩による感度増幅であり、波長とは独立した現象であるため増幅率は波長に依存しない。 本研究では上記2つの効果を利用してLバンドにおけるGe-PDの感度を上昇させること、またその現象を解析することを目的とした。 本研究では導波路結合型Ge-PDを用いて高バイアス駆動条件下で、Lバンドでの感度を測定した。 Geメサは幅10 µm、厚さ1 µm、長さ50 µmで数10 nmのSi層で覆われている。 |uye| umm| ojz| adg| tam| pca| oph| ehk| qqa| asd| cxg| vyf| dhl| qdx| gyx| jld| kjo| qpz| plu| siz| fau| cyz| zya| nso| uao| vhe| wfv| nfk| wyo| stn| umz| cam| jbh| msn| jak| qdv| cix| sjs| pss| qkc| sjp| erf| ntw| vrl| cxz| nya| ljp| kwb| hif| gfo|