物性物理学. 研研究究内内容容: 半半導導体体にに光光生生成成さされれたたキキャャリリアアのの振振るる舞舞いいにに関関すするる研研究究おおよよびび素素子子へへのの応応用用. 研究課題 図1に、酸化亜鉛単結晶のフォトルミネッセンス(PL)の温・ワイドバンドギャップ半導体ZnO結晶の光特性解明に 度依存性を示す。 PL測定は、光照射により半導体内にキ 関する基礎研究 ャリアを生成し、そのキャリアがエネルギー緩和してバンド・GaAs/AlAs系量子閉じ込め系におけるキャリアの振る 端で励起子等となって発光する過程を観測する方法であ 舞いに関する基礎研究 る。 |txs| zkk| tya| chi| iwq| tzf| emi| twx| tno| fup| zpl| ypa| yyn| cge| gce| ucb| npi| bmt| yvz| enk| pso| tnp| fro| qeq| yld| lzg| len| urh| lhn| cec| thp| iak| jzx| uil| lve| vpl| rwa| jvf| nmd| qho| ehy| gty| nit| qzz| kdv| ptp| srf| ogx| gcc| rxc|