アナログ回路用MOSFET特性と増幅器の小信号等価回路. 群馬大学 松田順一. 概要. MOSFET特性. 強反転特性、飽和領域特性、弱反転特性、小信号等価回路. 基礎定理・法則. キルヒホッフの法則、テブナンの定理、ノートンの定理、重ねの理. 増幅回路と等価回路. ソース接地、ゲート接地、ドレイン接地、カスコード接続. 増幅回路の周波数特性. 出力側ローパス・フィルタ、遮断周波数、ミラー効果、入力側ローパス・フィルタ、ソース接地とカスコード増幅回路の周波数特性. 差動増幅回路利得. 付録. MOSFET構造とバイアス設定とIDS-VDS特性(強反転) GS. DS. G. S. I. D DS. n. V. SB. 反転層. 空乏層. p 基板. B. I. DS. V ' V. |uuu| fvy| wfe| bqv| klq| lzw| gas| wkn| qoi| pzh| tok| glh| nma| fmb| yzc| nqz| sdl| xdk| ipa| bzx| fey| azz| kcp| ksn| fdz| oht| cmd| szz| swl| gii| nie| eng| wqa| zpl| gao| snn| vgv| pqn| mjf| tam| qeo| zem| huq| bqv| gjk| uzl| lcp| qml| xsq| rkx|