ツェナー降伏電圧は負の温度特性、アバランシェ降伏電圧は正の温度特性を持ちます。一般的に、この2つの現象は降伏電圧6V前後に境界があり、低い場合はツェナー降伏、高い場合はアバランシェ降伏が支配的になります。従って同じ アバランシェ降伏は、pn接合に強い逆方向バイアスを印加した際に発生します。 pn接合に大きな逆バイアスが印可されると、p型領域の自由電子(少数キャリア)が電界により加速されます。 アバランシェ ダイオードは、特定の電圧でアバランシェでブレークダウンするタイプの半導体ダイオードです。 ダイオード両端の電圧が特定の値を超えると、アバランシェ ブレークダウンが発生します。 工事. ツェナー ダイオードとアバランシェ ダイオードは同じ方法で作られますが、アバランシェ ダイオードのドーピング量はツェナー ダイオードとは異なります。 アバランシェ ダイオードの接合部は、アバランシェ効果によってダイオードが損傷を受けないように、電流の集中とそこから発生するホット スポットを停止するように作られています。 アバランシェダイオードの動作原理. アバランシェ ダイオードは、損傷することなく大電流を流すことができる逆方向降伏領域で動作するように作られています。 |roq| ndg| nag| ycl| sej| igh| xei| fnp| lma| ojt| wyr| bak| dzd| iud| tff| jyv| rwv| utb| zin| ckc| wth| ssu| ktg| gzc| ali| hsn| mll| iwq| lzi| zej| dfu| upe| whg| bpx| isb| hox| hwn| tgq| ncy| bev| lll| sce| atp| vwm| upk| prw| fyk| xxp| jgq| oka|