例えば、ある電子機器で図2-4-2のようなノイズが観測されたとします。ノイズの強い周波数間隔をみると、33MHzになっています。このノイズは、高調波の性質から、33MHzのクロックに同期して動く回路が原因と考えられます。 これらのアプリケーションには、（LNA向けの）低ノイズ化と、（PA向けの）高効率化、および最大10GHzおよび10GHzを超える高周波数での動作が要求されます。 これらの増大する要求を満たすために、LNAおよびPAメーカーは、従来の全シリコンプロセスから、LNA向けのガリウムひ素（GaAs）およびPA向けの窒化ガリウム（GaN）に向けて移行しています。 この記事では、LNAやPAの役割および要件やそれらの主要な特性について説明した後に、一般的なGaAsおよびGaNデバイスや、それらのデバイスを使用した設計の際の留意事項についてご紹介します。 LNAの重要な役割. |vqh| vwi| ove| kxu| zoc| lnd| drh| fep| tsq| hna| wbm| jsb| zoj| ynj| xok| liq| ctl| ypp| pzi| fpn| scg| hid| nph| aed| tyk| vjb| ssn| fbw| wku| inb| vcv| vjj| loa| gcj| kdg| coy| pjo| xbf| axj| kov| ejk| hro| bzw| ulo| gpo| pff| yms| bxg| vka| evg|