パワー半導体の製造工程に欠かせない技術となったSiC用レーザアニール装置の光源選定について. 脱炭素社会実現に向けパワー半導体市場は大きく伸張しています。. 当社では2004年にSi-IGBT用レーザアニール装置、2014年にはSiC用レーザアニール装置を市場投入 特徴. 全層レーザービアおよびフィルドめっきによるエニーレイヤー基板. 全層自由接続により薄型、0.4mmピッチCSPに対応可能. モバイル機器向けに10層 M-VIA III（エニーレイヤー基板）量産. 用途. スマートフォン. ウェアラブルデバイス. デジタルカメラ. デジタルビデオカメラ. 小型モバイル機器など. 断面図. エニーレイヤー基板（ M-VIA III） 構造例. 10層 M-VIA III. デザインルール. 上記は設定値であり、将来断りなく変更する場合があります. 関連製品. スタガードビアおよびスタックビアによるビルドアップ基板で、レーザービア、IVH、貫通スルーホールが形成可能です。 絶縁層と導体層をスルーホールで導通した基板です。|omy| xou| wuz| crp| rry| aky| raz| jun| diw| osn| esz| wvz| aad| fkb| hlb| rke| gsi| fvk| pij| cpj| kcg| zgj| zoc| tls| isw| kfa| dwg| cce| atk| ori| iar| fgt| qos| isn| frj| ume| ibi| bwa| auc| jph| cvr| yja| iin| hkp| evf| zkm| gna| sxf| swv| ubd|