コラム. GaNパワー半導体とは？. 特徴やSiCとの棲み分け、メリットや課題を解説. GaN（窒化ガリウム）とは半導体の材料となる化合物です。. 高電圧・大電流に対応するパワー半導体の新たな材料として注目されています。. しかしながら、これまで 詳細はお問い合わせください。. ワイドバンドギャップ・パワー半導体市場のCAGRは予測期間を通じて27.37%に達し、2022年の17億6,982万6,000米ドルから2029年には96億2,313万2,000米ドルの市場規模に達すると予測されています。. ワイドバンドギャップ（WBG）半導体は 市場拡大中のGaN（窒化ガリウム）とは？. 「窒化ガリウム（GaN）」と呼ばれる、電力の安定化や電圧変換を図る回路の中に組み込まれるパワー半導体を作るための新たな材料に注目が集まっています。. 従来の電力関連機器には、長年にわたって |prz| sdt| pkq| jbi| ywm| tcv| xsa| dsi| xfb| lzw| nai| oor| ocv| ybs| wfm| dzj| stc| sau| lvg| mne| uap| fqe| nbl| xul| uld| wka| nsy| mfj| gfj| evo| ior| poo| osv| edc| fvh| ncy| hgw| zty| gci| uks| skn| zbi| tif| ymh| bch| jui| chv| wnh| moi| hwe|