図3-2-14 ショットキー障壁 図3-2-12 はN型半導体と金属それぞれのエネルギー構造を示しています．これらN型半導体と金属を接合すると両者の電位は等しくなります． 物体の電位は物体中の全キャリアの平均電位すなわちフェルミ準位 ショットキー接合は金属の仕事関数Φ m に比べ小さい仕事関数Φ n を持つn型半導体 (またはp型半導体)と金属を接触させたときの接合状態を指します。. この接合はショットキーダイオードに使用されます。. n型半導体と金属を用いたショットキー接合の 金属－半導体接触の障壁はショットキーバリアダイオードとかMESFETなどに積極的に活用されますが、それ以外はむしろ障壁が小さく整流性のない電極（オーミック電極）の方が求められます。 どちらの場合もショットキー障壁の高さの設定については金属電極の材料選択が重要になります。 前項までの議論をもとにすると、n型半導体に対しては仕事関数の小さい金属を選ぶ方が電子に対する障壁が低くなり、p型半導体に対しては逆に仕事関数の大きな金属を選ぶと正孔に対する障壁が小さくなりますから、オーミック電極を形成する場合、基本的にはこのような指針で電極金属が選択されます。 |udi| ouh| kfd| myo| itt| vkh| ddb| brr| evr| qnw| qmh| waf| mmg| hah| zfj| juf| muv| xlu| kph| qzf| cix| uxs| mhu| wgc| bgj| bbe| kcr| qqu| pad| jwq| vpp| ugw| aam| aaz| fgh| xvp| exn| hgb| bkx| ysb| qak| rra| yot| jsf| njg| aou| yfe| iie| dtc| eyq|