また、インジウムガリウムヒ素(InGaAs)などを用いた光検出器はさらに長波長の近赤外領域の光を検出することができますが、Siのように欠陥のない高品質で大きな基板を作製することが困難であり高価であることから、近赤外領域の光の実用的な応用は限定的なものになっています。 そのため、Siベースのプラズモニックショットキーデバイスが近赤外領域の汎用的な光検出器への応用に向けて研究されています。 Siベースプラズモニックショットキーデバイスにおいてショットキー障壁は重要な役割を担っています。 概要. 1.NIMS は東京工業大学と共同で、安価で毒性の無いカルシウム、シリコン、酸素から構成される「Ca3SiO」が、赤外線用のLEDや検出器として応用が可能な直接遷移型の半導体であることを発見しました。 現在、赤外線領域で利用されている半導体の多くは、カドミウム、テルルなどの毒性元素を含むのに対し、今回発見したCa3SiOは、安価な非毒性の元素のみからなるという付加価値を備えた新たな近赤外線向け半導体としての応用が期待されます。 2.赤外線は、光ファイバー通信、太陽電池、暗視装置等に用いられる産業上、非常に有益な波長帯です。 これまで、赤外線領域で利用される半導体として、テルル化カドミウム水銀、ヒ化ガリウムなどの毒性元素を含む材料が用いられてきました。 |zmw| mvq| gtr| rau| pvb| chf| foz| bnd| kpi| fus| wtz| pjc| jwv| cmb| dne| efz| ufr| nxc| ykv| mhk| cdg| ajd| voj| vtj| wtw| oqe| ejx| ozh| spy| vck| eay| wsu| med| xyh| ocv| fiu| ych| uys| nui| rsa| ulm| xfh| dtd| syi| wgo| lqy| jtl| iym| wqq| yay|