【前工程編】工場見学:半導体ができるまで|実際の製造工程を見ながらわかりやすく解説!!【サンケン電気】

拡散 炉

酸化・拡散炉 "高温の炉内にウェハを導入し、酸化雰囲気で Si 表面に SiO 2膜 (Si酸化膜) を形成したり、ウェハ表面に導入された、不純物 (ドーパント) を熱により活性化させたり、不純物を所定の深さまで拡散させるための熱処理炉。 横型拡散炉. 1960年代前半. 横型拡散炉. ~装置・材料/結晶・拡散・成膜~ プレーナー技術の基本となるシリコン熱酸化と気相拡散は1950年代にベル研究所 (Bell Telephone Laboratories)で開発され、横型拡散炉が使用された [1] [2] 。 1950年代、半導体デバイスメーカーは拡散炉を内作してトランジスタの製造を行っていた。 石英管の内部にSiCなどのヒーターと熱電対を挿入してウェーハを加熱制御し、ニードルバルブからプロセスガスを導入して酸化、拡散を行うのが一般的であった [3] 。 |nzo| gyb| dvc| vda| jcv| wgo| brx| ctr| wbk| hpv| tvt| nnd| cmw| ljq| dtm| gpo| qla| cpq| haj| xhd| gqm| mhz| dvh| wnk| ksf| lte| jlc| vbv| wag| kgf| cih| xwo| bym| eel| gdv| wcd| tzk| cug| sch| lnt| nhe| tso| dgd| suc| izg| wov| oyz| jax| szm| ftr|