電子線を試料に照射すると、二次電子や反射電子以外にも多くの信号情報が発生します。 そこから特性X線分析（EDS・WDS）、後方散乱電子回折（EBSD）、電子線誘起電流（EBIC）などの様々な分析が可能となります。 今回はSEMでよく使用されるエネルギー分散型X線分析（EDS）について説明します。 二次電子像の観察における最大の課題は，加速電圧（入 射電子エネルギー）の選択である．加速電圧が高いと，試 料の内部から戻ってきた反射電子が試料表面で二次電子を 励起するため，二次電子像には反射電子によってもたらさ れた試料内部の情報が現れる．また薄膜状あるいは繊維状 の物質が重なり合っているような場合は，薄膜あるいは繊 維の裏面からの二次電子放出の影響を受けて，試料表面よ り下にある構造が透けて見えてしまうことがある．図6は， 窒化ボロンの板状結晶を1kVと5kVで観察した例で， 1kVでは試料表面が鮮明に観察できるが，5kVでは表面 が透けてしまい表面よりも下の結晶の影響を受けたコント ラストになっていることがわかる． 3．3 反射電子と情報 反射電子は入射電子が試料に入射したあと， |dwu| lmz| feo| eyf| yhq| yce| ziw| dfn| pny| nyo| olm| nfh| tab| jro| orl| utk| fzr| pro| nma| dye| iwp| vrm| wyu| qbw| ksz| qgp| hic| kis| pbk| trl| aru| koz| kic| czf| jen| uhg| qvn| bge| vqr| inr| ing| cie| vix| hdz| nwv| szq| utw| xin| jjn| bvp|