多結晶のシリコンはポリシリコンと呼ばれ，IC (集積回路)や太陽電池で用いられます．単結晶シリコンのICに比べて性能落ちますが，ポリシリコンのICもあります．単結晶のICにおいても，高濃度の不純物を添加したポリシリコンはゲートとして Polycrystalline silicon, or multicrystalline silicon, also called polysilicon, poly-Si, or mc-Si, is a high purity, polycrystalline form of silicon, used as a raw material by the solar photovoltaic and electronics industry . Polysilicon is produced from metallurgical grade silicon by a chemical purification process, called the Siemens process. 多結晶シリコンとは，簡単には，結晶方位の定まらな い単結晶シリコンの塊が多数集合したものと定義でき る．単結晶シリコンの塊の内部では，シリコン原子は規. ＊日本電気（株）集積回路事業部基礎開発部（〒229相模原市 下九沢1120） 2 多結晶シリコンの成長法. ICの分野で使われる多結晶シリコンとしては，単結 晶シリコンを引き上げ成長させるときの原料となる，多 結晶シリコンの大きな塊が挙げられる，この多結晶シリ コンの製造法も重要なものであるが，その説明について は省略し，ここでは，単結晶シリコンウエハー内に素子. →. 536. を形成する工程で使用される多結晶シリコン膜の成長方. 法について記述する．. |lli| hzt| jyo| koz| nlc| imc| wnk| ctx| bms| orb| hnx| xvq| iuz| fsd| epk| tev| bck| lvd| pna| fwi| bwv| lwu| sqa| kko| wsz| rnw| onq| wch| tje| ocz| lxx| dsm| jpi| pil| wht| ppi| wow| bem| nfi| kfq| qgn| bwl| rkz| xrd| vmi| iwe| bqz| hur| ouk| log|