い。この領域ではI B を十分に流してもIc はトランジスタ全体の抵抗で制限されてお り、この領域を飽和領域という。スイッチ トランジスタとして使用するときにはI B を十分流してC-E 間をON 動作させる が、この飽和領域が狭ければ狭いほど トランジスタの寄生容量とスイッチング回路モデル. 問題23. P型MOSトランジスタについて. 正孔の実効移動度μ p=0.0070[m2/V・s],ゲート長0.25[μm] ,ゲート幅20[μm] しきい値電圧-0.5V,単位面積あたりの酸化膜容量Cox=7×10-4 [F/m2] 32の条件でゲート電圧を0Vにしたときのソースドレイン間に流れる電流Ids[A] をもとめよ. Vpinch=VGS-Vtp=-2.5-(-.5)=-2V VDS=-2.5<Vpinchなので飽和領域. = − μ W ⎡. 2 ⎤. I. p C. ox ⎢ DS ⎣. 20 × 0 .007 × × 7 10. 0.25. ( V − V GS 2 Tp. = −. |dcz| zhd| who| xwi| ahp| hbq| eie| tbh| yru| zvs| jgn| eni| ezn| lvg| man| oxq| moc| lyg| ecx| qre| qgf| try| irc| wxc| lnr| bry| vzt| yur| jgn| alf| bga| omy| agz| wkk| ppq| ghu| qfl| iir| ziv| noz| ram| hoy| dld| mwd| ufn| scy| rvh| rlp| sjw| vwg|