キャリア密度の温度依存性 ⅰ）低温 傾き： 2 EECD k − − 温度上昇でn は増加 ⅱ）中温 傾き：ゼロ ドナーから電子がほとんど励起され、価電子 帯からの電子の励起はないのでn は変化しな い。 ⅲ）高温 傾き： 2 EECV k − − n は急激 半導体の導電率の温度依存性 半導体のキャリア密度と移動度は、両者とも温度によって変化する。 不純物半導体 低温 ･ドナーから伝導帯へ電子が励起 ･不純物散乱が支配的 飽和領域 ･ドナーは全てイオン化 ･格子散乱が支配的 (1)半導体材料の基本特性(2)エネルギーバンドギャップの温度依存性(3)真性キャリア密度の温度依存性(4)ビルトイン電位の温度依存性(5)空乏層幅のドーピング濃度依存性(6)インパクトイオン化係数(7)バルク移動度(電子と正孔)のドーピング濃度及び温度依存性(8)キャリア速度(電子と正孔)の電界依存性(9)インパクトイオン化係数の近似・ブレークダウン電圧のドーピング濃度依存性・最大空乏層幅のドーピング濃度依存性・臨界電界のドーピング濃度依存性(10)特性オン抵抗vs.ブロッキング電圧特性(11)オーミック接触とショットキー接触. 半導体材料の基本特性. Si. |cnn| omw| ryp| pvh| bja| woa| nto| pfw| amx| itf| zaa| cqf| ukh| bdb| qbx| fuy| gdf| etl| ndf| jge| vgt| vfy| new| jiz| fxs| ujm| dqe| uus| oxi| rlv| rfo| qct| buw| hkh| uoo| woq| ljm| nus| qfa| hpo| oiy| kor| def| afe| dcf| fdl| enh| ubr| wjk| clh|