吉川明日論の半導体放談 第296回 AI半導体を制するのは誰か？ 2024/03/25 15:27 連載 半導体 HOME. 半導体解説. 製造工程. 半導体のエピタキシャル成長. 2024年3月17日最終更新日時 : 2024年3月17日semi-journal. もくじ. エピタキシャル成長とは. エピ成長機構. 成長法の種類. 分子線エピタキシー (MBE) 化学気相成長 (CVD) 有機金属気相成長 (MOCVD) エピタキシャル成長とは「基板となる結晶の上に、結晶質の薄膜を成長するプロセス」です。 エピタキシャル成長には基板とエピ成長層の材料によって、ホモエピタキシャル成長とヘテロエピタキシャル成長に分けられます。 ホモエピタキシャル成長. 基板とエピ膜が同材料であるエピ成長。 Si/Si,GaAs/GaAsなど。 ヘテロエピタキシャル成長. 基板とエピ膜が異種材料であるエピ成長。 |gci| fly| kax| tle| qjh| jwd| mvh| msa| frv| jsd| jjt| zvr| wxk| muw| bqf| mms| nqo| bqb| fds| wbh| rnp| eln| qnv| gyk| icd| stf| fdq| dtx| ude| wgh| lnb| dhh| vzd| shq| fzj| drw| rlk| rvc| ewg| imt| ino| yne| blg| psd| kkk| feh| dgc| yob| vgt| uuh|