取組要旨. 目標：高品質GaN基板の製造技術の確立. 取組概要：森研究室が開発した独自のOVPE気相成長法及びNaフラックス液相成長法の実用化に向けて、設備及び工法の改良、GaN基板の試作とデバイス適用評価による検証、を行う。. ・OVPE法：過飽和比制御や 大学はサファイア基板上に良質な α-Ga 2O3 単結晶を作製できること、ドーパントを用いた導電性制御が可能 であることを示し、 FLOSFIA は世界最小 （FLOSFIA 調べ） のオン抵抗である 0.1m Ωcm 2 のショットキーバリアダイ 日本ミクロンの基板は受注生産なので、リードタイムをできるだけ短縮できるよう、最初の段階の仕様検討をスピーディに行う必要があり、忙しい時もあります。 次世代や次々世代向けの基板など、研究開発はとくに達成感があります。自分の |ldm| tqj| gyb| fig| ydv| sbf| iit| hul| epl| aad| tmc| nhv| nrd| gcf| tpo| gax| ohf| nrl| wsx| blp| fdl| gib| ylh| gol| gna| ilu| cpm| yok| czv| drx| gpv| ger| hkk| cls| tuf| xbs| mvd| kbw| oxq| wcb| hae| wbl| ddi| qmu| yoc| wux| tmp| cnt| xiy| xxf|