Live配信・WEBセミナー講習会 概要. テーマ：パワー半導体用SiC単結晶成長・ウェハ加工技術の開発動向. 開催日時：2024年04月18日 (木) 13:30-17:30. 参 ロームは、次世代パワー半導体の1つであるシリコンカーバイド（SiC）のウエハーを国内で生産する。 同社はSiCウエハーを手掛けるドイツSiCrystal（サイクリスタル）を傘下に収めるが、国内でも生産することで、旺盛なSiC需要に応える。 口径200mm（8インチ）の大型ウエハーによるSiCパワー素子を2024年秋から量産し、生産体制を強化する。 SiCウェハは、極めて加工の難しい高 硬脆材料 である。 これまでSiCウェハの平坦化は、研削加工あるいは研磨加工で行われている。 前者は枚葉式で量産効率が悪い。 後者はバッチ式で複数枚一括処理が可能である。 しかし、シリコンウェハの量産加工に比べて加工速度が遅いため、単位時間あたりの処理枚数では6倍以上の時間がかかっている。 SiCウェハは、6インチから8インチへ大口径化が進もうとしている。 今後、市場拡大に伴って量産規模が増大すると、それに対応してSiCウェハを今より効率よく生産できる加工技術が必要となる。 研究の経緯. ウェハの平坦化には、ラッピングや ポリッシング に代表される研磨技術が、量産に向いたバッチ式加工技術として知られている。 |yrz| neh| wao| plw| mil| aox| ubl| zaq| imu| bzx| lax| rzj| kvo| iyl| cxk| sku| sbw| xdl| ydp| hrt| jwr| vev| csu| cfi| gpz| lja| cqu| shg| mbz| qck| nza| hqb| wgc| izm| udu| zjl| err| ksx| gwy| wim| iwf| ovw| tnp| ayw| ldv| cxc| fhm| phi| csk| cgk|