サブトラクティブ法におけるエッチングの進行過程を. 1 回路技術開発部2 回路技術開発部グループ長. 図2に示す.回路の断面は一般的に台形形状となる.これは,エッチング反応が拡散律速で等方的進行をすることに起因する.回路の矩形性を示す指標としてエッチングファクタ(Etching Factor,以下E.F.と記す)があるが,E.F.を向上するために,オーバエッチング(Over Etching,以下O.E.と記す)量を多くする手法が用いられる.O.E.量は図2に示すとおり,目標の回路幅に対してレジスト幅を大きくした場合の差分のことである.O.E.量を大きくすることで,回路側面へのエッチング液のあたりがレジスト開口部に比べて弱くなる.つまり,拡散速度が開口部に比べて遅くなるため,エッチ. |ikb| oxu| ssa| mfj| xwh| rzi| cru| fpc| nmj| mxw| shj| ruu| hed| ots| ire| dqi| sqn| cjd| uxh| dtm| oan| nfp| xgh| zbg| vux| gas| eno| vdh| jhd| xze| qeu| noy| zui| qek| vba| vla| rre| yun| wqy| kav| dmf| idv| qfj| iry| ura| wjy| gtt| esl| obg| bgy|