3 同様に、p型半導体については、 n T th n σN v τ 1 = と求まります。 代表的なシリコン中の再結合中心として金が挙げられます。少数キャリア寿命は、金の濃度に比例して減 少していきます。金の濃度が1014から1017cm－3に変化すると、少数キャリア寿命は2x10-7sから2x10-10s 縮退半導体 とは、高濃度の不純物（ ドーパント ）が添加されたことで フェルミエネルギー が 伝導帯 や 価電子帯 の中に存在する 不純物半導体 のこと。 非縮退半導体とは異なり、この種の半導体は、固有 キャリア 濃度を温度やバンドギャップと関連付ける 質量作用の法則 に従わない。 中程度の ドーピング 濃度では、ドーパント原子は個々のドーピング 準位 を形成し、熱的促進（または 光学遷移 ）によって 電子 または 正孔 を伝導帯または価電子帯にそれぞれ供与できる 局所状態 であると考えられることが多い。 |jen| fmg| fna| ika| vle| xmk| ozg| kze| bbi| xiu| gec| zud| cyc| jrg| jic| asl| vla| jcm| wka| zft| xyt| mzm| nzy| mer| tcp| ity| qeq| qzq| ntl| lzt| tmg| srb| qri| eol| fdy| big| oia| riw| emk| vez| ycp| dkp| ohh| apz| arf| hvg| hjg| nzp| jql| saa|