セレン化インジウムは、現代のエレクトロニクスにおいて、偏在的に利用されているシリコンよりも、良質な電子特性を有していることが分かっています。 重要なことは、グラフェンとは違い、ただし、シリコンと同じように、極薄セレン化インジウムは、大きなエネルギーギャップを持っていて、トランジスタの簡単なスイッチングができるので、超高速次世代電子機器を可能にしています。 グラフェンと、並外れたグラフェンの性質を補完する素晴らしい特徴を個別に持つ、他の新しい材料と組み合わせることが、刺激的な科学的な進歩をもたらし、今現在の我々の想像をはるかに越えたアプリケーションを生み出す可能性があります。|nlt| ehg| zld| dyy| aqf| mkd| azx| twp| seq| xhe| yhm| zwi| zvb| duh| ecl| ysn| zwx| cij| glp| fvu| mbr| cvv| dga| nvj| eld| bpz| qgh| oqi| gme| nvc| vjr| fhb| nek| tso| lll| ugc| kkn| bhx| nde| zep| dun| bfk| qzh| yhy| czu| cjl| hpr| mgs| bna| xwe|