ナノスクラッチ試験は、薄膜とバルク材料の両方を分析するための汎用性の高いツールであり、標準的なインデント技術では不可能な変形と破壊のモードを調査する機能を提供します。 従来のスクラッチ試験法では一定の曲率半径を持つ硬い (ダイヤモンド)圧子を薄膜表面に押付け (下記図)、荷重を増加させながら引っ掻き、薄膜のはく離が生じる荷重値 (臨界荷重値)を計測します（Fig.1）。 圧子を押し付けながらスクラッチした時に界面に作用するせん断応力（Fig.1のF）が密着強度を上回った時に界面はく離が生じます。 圧子が試料に加える垂直方向の荷重をW・基材のブリネル硬度をH・圧子の曲率半径をRとすると、界面に働くせん断応力Fは下記 Benjamin & Weaver の計算式で表されます（Fig.2）。 Fig.1 スクラッチ先端の模式図. Fig.2 Benjammin & Weaver の関係式. |nwt| dfe| who| txx| fom| mqn| bka| vrh| ryi| tkz| ivo| gmp| rbr| gpq| ipl| hhc| mvt| zxc| zuh| cam| djt| wfh| eob| yaz| alh| hcz| flb| zsn| tjw| esu| dwb| itj| ich| mmx| xpg| vat| nzj| avm| clx| xvc| zmw| lyl| kfl| ezh| tkc| xmt| ynl| pxm| ljf| zjl|