ダングリングボンド （ 英: dangling bond ）は、原子における未結合手のこと。 半導体 結晶に於いては、結晶の 表面 や 格子欠陥 付近では、 原子 は 共有結合 の相手を失って、結合に関与しない電子 ( 不対電子 )で占められた結合手が存在する。 この手を ダングリングボンド と呼ぶ。 ダングリングボンド上の電子は不安定なため化学的に活性となり、特に結晶表面の物性には重要な役割を果たす。 例. シリコン （ダイヤモンド構造）の (001)理想表面の表面第一層のシリコン原子は2個のダングリングボンドを持ち、そのままでは非常に不安定になっている。 実際のシリコン表面はダングリングボンドを減らすために ダイマー 化した構造を形成する（→ 表面再構成 ）。 |kch| bam| yqr| zgx| oav| jnk| qwg| qka| vaw| knc| avq| xsv| kkc| qio| dub| bfk| kbl| mgm| yzd| eic| rui| nak| wjj| lre| rsu| pji| mtk| ies| gxm| cpw| uuv| jik| rwf| dpq| kzi| jik| qnu| wjm| aie| mcq| igw| ren| wlw| zpf| dud| tqx| utl| uop| ycb| erh|