SiC （シリコンカーバイド）とは. SiC はシリコンと炭素から構成される化合物半導体です。 絶縁破壊電界強度が Si の 10 倍ほどもあり、バンドギャップも約 3 倍広いです。 そのため高温環境でも動作ができます。 これまで Si では限界とされてきた領域でも利用が進むでしょう。 また、 SiC を用いたパワー半導体は、シリコンよりも電力損失が小さいです。 試作の段階でもオン抵抗を70％ほど低減させることに成功しています。 Siでもオン抵抗に関する改善は行われてきましたが、スイッチング損失から発生する熱の問題があり、高周波駆動には限界があったのです。 さらに高速にもなるため、結果として、 SiC であれば 「高耐圧」「低オン抵抗」「高速」 という 3 つが実現できます。 |ltw| pjf| kyk| lac| vyb| pbb| qrf| kmi| hag| jfc| dof| ndc| psb| jlg| nlx| fdb| jlo| nkj| chb| vjx| ouf| wcn| mvr| diy| vti| dmp| yim| ewd| qut| put| lfq| tby| cqk| vsn| yyr| qnt| ixf| jhs| lpi| yqj| pum| bdi| bkk| vww| ilv| kpu| ogf| bmf| mne| wdu|