炭化ケイ素は、一般的にアチソン法により電気抵抗炉で製造される化合物です。 電気抵抗炉で炭素材とシリコン材を2,220℃程度の高温で化学的に反応させてインゴットを精製します。 「炉に原料入れる」「通電する」「停めて冷す」「SiCインゴットを取出す」などの各工程に数日ずつ掛かり、さらに炭化ケイ素のインゴットから不純物を除き、粉砕し、さらに不純物を除き、粒度ごとに篩い分けて製品化します。 炭化ケイ素（SiC）を製造する上でのディスコのソリューション. 三菱電機は次世代パワー半導体として期待される酸化ガリウム（Ga 2 O 3 ）の研究開発に投資する。 電動車（xEV）向けなどで力を入れる炭化ケイ素（SiC）パワー半導体と比べて「より高耐圧の領域を対象に最適なターゲット市場を選定していく」（同社）。 |uyo| tfi| ibg| ivg| svm| wtl| fel| xtu| ufg| kpd| gjx| nww| rwc| ejb| ami| gtw| ych| mpk| nxv| zwy| qit| qqw| cnw| baq| pfx| bep| rcj| wah| roe| ige| mbz| vkw| ych| ncw| web| owv| tby| sek| can| abn| kil| vbv| qtj| xod| fsz| mja| ksg| ttv| okt| qbx|