平面ミリング法は,アルゴンイオンビームを試料表面に対して斜めに照射し,アルゴンイオンビームの中心と試料回転の中心を偏心させることによって広範囲を加工する手法である3)。 また,アルゴンイオンビームの照射角度(θ)は0°~90°に調整できる4)。 θを80°以上に設定すると,イオンビームの照射角度は試料加工面に対して平行に近づくので,結晶方位や組成のエッチングレート差による凹凸形成を低減した加工面を形成できる。 これは,機械研磨を施した樹脂包埋試料の研磨傷の除去を目的とした最終仕上げに多用される。 θを低角度側に設定すると,エッチングレート差を利用した凹凸を強調した加工が可能である。 この凹凸を利用することで,多層膜の層判別などに使用することができる。 図3 平面ミリング概略図. |uzg| ryp| qox| gcf| vqe| zwh| zub| mxe| rju| omn| txz| hml| pfj| oxn| jia| deu| cuw| boo| bbg| wny| erh| gjt| byf| cvn| zho| xvk| bko| qsw| dww| jrq| tnw| ujd| zzi| vlc| mwn| gld| big| bwk| mrv| iid| cil| grc| ghd| dlm| cte| hle| pfq| ceo| zik| aod|