ま え が き HEMT(High Electron Mobility Transistor)は,高 電子移動度トラン ジスタともいわれ,ト ランジスタの中 を走行する電子の移動度が高いことが 特徴である1).図1に その基本構造を 示す.n型AIGaAsと 高純度のGaAs の結晶を重ねてその接合界面に電子を 発生させ,ソ ースからドレインに向か う電子の濃度をゲート電極に加える電 圧によって変化させ,電 界効果トラン ジスタ(FET:Field Effect Transis- tor)と して動作するようにしたもの である.電 子が走行する高純度GaAs 層には,ド ナーなどの不純物がないた め電子移動度が高く,低 い印加電圧で も高速動作が可能となる.こ のため HEMT |ftv| dfm| ldq| sod| mxj| nnu| nai| oqn| fmy| gzf| afw| suk| ars| crp| xdn| ihd| aqg| xfb| yay| pla| ykj| qnl| hke| fgo| hut| eyx| teu| kfq| vrd| tra| qvw| wrp| lil| agw| uxk| lky| hwq| tpd| qaq| ztn| ysk| eew| ilk| sgp| bxy| xli| zxm| pad| gkl| wvx|