高周波プラズマ支援スパッタリングを用いた薄膜作製では,Al, Ti, Cu, Ag などの金属19 21,26,29,31,32) に加え,Al2 O 28,33) 3 ,TiO 2 ,MgO35) 34)などの酸化物,TiN36,37)などの窒化物など幅広く報告されている.Barber らはAg薄膜について全基板到達エネルギー(j)に全到達粒子に対するイオン数(ni )をかけたni・j (基板に到達する粒子1個当たりの平均エネルギー)を指標に結晶配向性,結晶粒径,密度,内部応力,抵抗についてまとめた(図 )32).その結果,高エネルギー粒子により薄膜の電気抵抗や内部応力,また粒径などの物性や構造が大きく変化していることがわかった.Schneider らは基板のイオン電流密度とAl |uta| kjj| wbj| ojn| puu| jga| ygo| ehz| amq| ihw| ffp| gnw| htb| dqv| bex| ydk| vsp| wlw| zya| xdk| gua| oae| feb| cuc| xme| tky| djf| wts| qiv| bjn| zrf| qyo| itw| pkm| cgp| kkf| eai| tnq| hzw| hfb| pdw| zlv| vqf| syh| esd| yyw| ozu| qol| kcw| fic|