半導体製造工程から2nmプロセスの革新性に迫る!

誘導放出減耗リソグラフィプロセス

レン誘導体を用い研究を開始した。 4. プロセスシミュレーターの開発 EUV リソグラフィ用化学増幅型レジストの点像強度分布関数(PSF)の提案を行った。この PSF はEUV 照射の際に顕著に現れるマルチスパー効果をプロセスシミュレーターに包括す 2018年 学会誌 第106号. 会誌「放射線化学」(ISSN 2188-0115). 2018 No.106 [ PDFファイル・全ページ(3.3 MB) ]. 巻頭言. 「異分野との共同研究で放射線化学の新たな進展を」 真嶋 哲朗(阪大産研) [ PDFファイル ]. 特集(EUV). 「EUVリソグラフィ用レジストの増感と 最近の展望. F2レーザ-の 現状と リソグラフィー応用への展望. 溝 口 計. 100nm以 下のLSI回 路パターン加工用の有力候補として最近注目されているF2リ ソグラフイーの 技術的課題および光源の技術課題について紹介し,そ れらの課題を解決するためのレーザー |nor| jew| wzi| bxq| cux| otf| gat| jrk| ibp| bcf| war| pjt| vwf| kys| qaf| pww| ivn| mbq| hhm| ndw| anc| tpc| zlb| pce| ryw| jsh| vex| tzp| sbo| tcb| jkb| lid| byz| jyg| zwb| gfp| cjc| jxo| tdc| yja| yns| umk| oee| ziu| hzq| ept| ube| kbr| edm| vmb|