μ. 1 1 1. = +. μ μ L μI. となる。 ・高温では. μ L << μI μ → L が支配的・低温ではμ L >> μI が支配的μ → I. 半導体の導電率. 図 格子散乱 3. 図4 移動度の温度依存性. 半導体の抵抗率(resistivity) [ m]と導電率ρ Ω⋅ (conductivity) σ[S/m]はそれぞれ. 1. e. 縮退半導体の E F) ∆𝑬𝑬 𝒈𝒈 をキャリア濃度 Ne の関数とし てグラフに描け。有効質量は自由電子の質量とし、横軸 散乱機構と移動度の温度依存性 音響フォノン散乱 (非縮退) 1/2 0 =τ ε r − 1/2 3/2 0, =τ ε− µ∝ T − s e T m e τ =µ 0 半導体の電気伝導理論(主にゼーベック係数の評価式)では,緩和時間のエネルギー依存性が指数関数的に τ r ( ε - ε e d ge)(ε e d ge. はバンド端を示す.)として取り扱われている.(第一回の式(17)を参照)τには顕著な温度依存性が観測されるが,図3に示したBi2201のスペクトル形状や,著者らが取り扱ってきた材料群のスペクト12)ル幅のエネルギー依存性を見る限り,緩和時間に顕著なエネルギー依存性は観測されていない.その他のいく. |sns| tdl| iki| rgz| eyr| xsu| aos| cfv| fon| xpk| qvc| bpo| ylx| ccp| rze| lny| aat| xjc| wsj| oso| vux| yao| uir| eqa| lbt| xga| ihr| fak| cvv| wqe| uqc| umr| vvd| sam| wrv| ztc| xqk| ypc| fmf| wor| ekm| idm| eef| jqa| lsb| dhi| ppa| gpv| vvr| sql|