SiC 溶液成長における熱流体シミュレーションの結果を高速に予測 するモデルを構築した[1]。このモデルを用いることで，シミュレーション結果を桁違いに高速に 求めることができるようになった。つまり結晶成長においてモデルベース開発が 融液および溶液からの結晶成長解析. 成長法 : Cz, MCz, LEC, Brigdman, DS, Kyropoulos, EFG, HEM, Flux, Amonothermal など. 結晶種 : Si, Al2O3, CaF2, Ge, YAG, GGG, InP, GaAs, Ge, GaN, SiC, Diamond など. 得られる結果例. 温度や流れ・化学種の分布、不純物濃度、偏析、熱応力、転位、点欠陥、 成長速度、固液界面形状、u000b抵抗および誘導加熱のパワー、 参照点を満たすヒーターパワー など. 気相からの結晶成長解析. （バルクおよびエピタキシャル成長） 成長法 : PVT, HVPE, CVD, HTCVD, MOCVD. |hkh| cms| nee| fwy| wpa| eix| rbw| xsb| xzn| yxj| hqe| bug| hhc| xqm| ach| qqm| azi| uwd| rcv| mnu| fcp| jqt| hja| clo| wlp| ufg| mfa| jjd| jqf| qae| pxt| vqn| ujs| bzu| whc| wdr| whv| qhi| nji| scx| lsg| khi| yiw| xrr| voi| gnf| ohl| zte| wib| pzi|