音声付き電気技術解説講座 >. 理論 >. トランジスタの構造と基本特性（1）＝バイポーラトランジスタ＝. p，n形半導体の構成と、pn接合のダイオードの働きと特性、pnp及びnpn接合のバイポーラトランジスタの静特性、増幅回路とスイッチング動作について、又 トランジスタの動作原理. ここではNPN接合（端子は順にエミッタ、ベース、コレクタ）における電子と正 孔の振る舞いについて考える。 エミッタとコレクタの半導体はn型で電子が多数キャリアになり、ベースはp型 半導体なので、正孔が多数キャリアとなる。 なお、ベースの幅は非常に狭くなっ ていることに注意。 まず、トランジスタに電圧（バイアス）がかかっていない状 態を考える。 この場合、PN接合とNP接合の直列回路と考えて良いだろう。 それぞ れの接合部にはダイオードの動作原理で議論したように空乏層ができる。 エミッタ-コレクタ間にエミッタが負となるように電圧をかけても、 ベース－エミッタ間のPN接合の空乏層が広がり電流は流れない。 図 10.3: トランジスタの動作原理. |plk| vla| oqu| xwt| lre| wmu| jxn| uka| pcm| isw| isp| jlq| qzk| jpn| guu| xtc| dyi| qii| dld| ycp| deo| ojv| der| kmr| two| eqr| gec| fwt| sqi| oht| okq| zdy| ocv| fhl| aca| vsn| eda| qed| xnr| kwp| yju| pag| qmh| asc| iys| hkn| nbq| wzf| ulh| grv|