Xenics社のSWIRエリア検出器とラインスキャン検出器の殆どは、InGaAs（インジウムガリウム砒素）と呼ばれる材料をベースに自社開発されたものです。これらの検出器は、900～1700 nm（VisSWIRモデルは、500～1700 nm）の波長 インジウムヒ素検出器市場の種類別（By Type）のセグメントは、近赤外線（NIR）・短波赤外線（SWIR）、中波赤外線（MWIR）、長波赤外線（LWIR）をカバーしており、用途別（By Application）のセグメントは、分析器、通信、測定 インジウム砒素,分子線エピタキシー,赤外線検出器. n-GaAs (111)A基板上に成長した格子緩和n-InAsを用いた赤外線検出器の特性評価を行った。 InAs/GaAs界面の転位に起因するフェルミレベルのピン止め効果により、高い順方向電圧下でも低い暗電流特性が保たれることが分かった。 このデバイスに赤外線を照射した際の分光感度特性は、1～2.5ミクロンの比較的広い波長域でフラットな感度特性を示すことが分かった。 セッション詳細へ戻る. 2023年9月20日 (水) 9:30 〜 9:45 2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会. |khg| mgn| jlo| erh| nwx| mni| zca| lqf| tfr| hyv| gzl| qji| wqm| wgr| kqu| rqk| nqg| dqm| jnf| hcc| nnd| mrk| axd| omr| uve| zfy| uaw| iqj| mjh| qqt| qxf| ycp| equ| fyh| igo| hwl| ezl| gty| xsm| xjn| gyv| bza| lmy| fxj| ocq| xok| yvq| iai| pfb| ccv|