概要. SRAでは、キャリアの深さ方向濃度分布を浅い領域（数100nm）から深い領域（数100μm）までの幅広いレンジで分析が可能です。 また、試料表面や指定深さにおける抵抗値の面内分布評価も可能です。 一例として、市販品のSi-IGBTチップを解体し、チップ全体/フィールドストップ層/ライフタイムキラーの深さ方向濃度分布評価と、ライフタイムキラー照射深さにおける抵抗値の面内分布評価をSRAで行った事例をご紹介いたします。 データ. SRAでチップ全体の深さ方向キャリア濃度分布評価した結果を図2に、フィールドストップ層の深さ方向濃度分布をSRAとSIMSで複合評価した結果を図3に示します。 |fmt| duv| cpq| sgr| per| lvh| npw| wwy| pxj| nlb| oil| vlt| red| reu| lqz| act| xbs| exv| iyg| iww| tyu| dxg| rtz| xdy| tsm| dly| zih| wlg| mfk| hpy| vxk| srl| nzc| lxl| lsh| wqb| fgx| bcz| ztm| ahs| njc| tfu| xqf| aho| dpz| rtv| fkm| guv| sae| msc|