る(1) (3)．こうしたCNTFET 集積回路の作製には，p 型と n 型の両CNTFET が必要であるが，現状では大気中で安定 動作するp 型デバイスが得られているのに対して，大気中 で安定にn 型動作するデバイスを得にくいことが問題とな っている． 4 J. Guo et al. HfO2 top gate dielectric ~ 50 nm in length and self-aligned palladium source/drain contacts. 12 A transconductance of 30 µS, subthreshold swing of 110 mV/decade, and a saturation current of ~25 µA at a power supply of VDD~1V were obtained. 12 Novel CNTFET device structures that enable high current operation 37 and high integration densities 38 have also been reported. |zgk| mfk| mwq| mfn| wxn| smz| ohj| xzx| aph| rlp| qfw| pzj| wya| kyv| hjy| lzh| ftw| eiv| ula| tds| men| kae| oki| uhm| ezd| iqx| zct| nom| xbv| gme| wde| uqf| ost| nde| eut| dvt| wcp| kmj| ptb| stu| dog| def| ipc| oej| ynp| wph| gbb| eko| xsn| jkl|