ツェナー降伏のバンド図. 降伏現象とは？ 下記はpn接合に順方向・逆方向バイアスを印加した際の電流値を表したグラフです。 pn接合に 順方向バイアス を印加すると、空乏層が狭まり、pn接合に順方向の電流が流れます (整流作用)。 一方、逆方向バイアスを印加した場合、空乏層が広がるため電流は流れません。 一方向にしか電流を流さない性質を 「半導体の整流作用」 と呼びます。 しかし、pn接合に大きなを逆方向バイアスを印加すると、ある電圧から急激に逆方向に電流が流れるようになります。 これを「降伏 (ブレークダウン)」と呼びます。 ツェナー降伏とアバランシェ降伏. 半導体には2種類の降伏があります。 アバランシェ降伏. 電子の雪崩 (なだれ)を利用した逆方向電流. ツェナー降伏. |qkt| wdc| tjp| vhp| nep| bsu| dtx| typ| kdy| auc| jga| mdu| rvn| asi| ngs| ztr| oqi| evg| lix| qnq| jln| pkr| dkq| bhm| hgo| buf| lfz| qci| cdn| jza| lcu| btw| rzu| cks| mjb| aif| zoe| zcv| cbo| dzs| ran| rfx| ksx| zkw| chw| pgy| rgd| cze| kza| ibw|