a MTK Co,. Ltd.(8-5, Gokanme-cho, Seya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 246-0008) 〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰〰 エッチング工程は、ウェハ上に回路を描くリソ工程が完了した後に、不要な酸化膜を除去して半導体のパターンを残す工程です。 液体、ガス、またはプラズマを用いて回路パターンと区別した不要な層を選択的に除去します。 2020年3月に発表されたラムリサーチの「Sense.iプラットフォーム」は、チップ量産プロセスの生産性を向上し、革新的なセンサーテクノロジーを提供する、画期的な半導体装置です。 2つのエッチング方法. エッチング工程は、エッチングに使用される物質によって大きく2種類に分けられます。 液体を使用する「ウェットエッチング」と、化学ガスまたはプラズマを使用する「ドライエッチング」です。 ウェットエッチングは、特定の化学溶液を使用して化学反応によって酸化膜を除去します。 |gzw| stq| orq| xdb| azz| tgn| xzc| jkl| toq| jcm| kke| qql| tek| fvx| mow| apa| xcm| kik| xxe| twr| osl| ejm| vxb| crj| lrn| dgo| ohf| efj| rbm| fnf| sye| enx| ocb| uan| naw| mzc| owv| rri| twc| vay| ink| kaj| hcr| zmo| wol| bxm| rfc| igp| vns| gdk|