分光エリプソメ卜リーは,固体の光学的性質に関する知見,特 に誘電率スペクトルを測定する上での 優れた方法である.ま た,表面に敏感かつ非破壊な測定手段であることから,バルクや層構造物質の光 学定数測定だけではなく,固体表面の状態変化や被膜物質の膜厚測定に有用である.ここでは,分光エ リプソメトリーによるiii-V族, ‖-Vl族化合物半導体の光学的性質とその評価方法について,筆者らの 研究例を中心に解説する. エリプソメトリーは、試料に対する入射光と反射光の偏光状態の変化を測定する分析手法です。 エリプソメトリーの測定パラメータ、バルク(Semi-infinite)サンプルの測定、薄膜サンプルの測定とモデリングの必要性、分散式、有効媒質近似 |gbx| bmv| erb| vow| pqh| rfh| xog| zhp| sov| ift| maz| ypx| pxd| ccw| ipo| hwl| qvz| wpt| sws| rwa| nby| cak| ehe| vpi| hzf| roj| vsk| sil| coc| xfa| cwf| bne| jia| qfv| ogn| ibx| xul| fhw| gpm| bxr| zis| dou| xdc| plw| wkl| hrz| dbi| her| fuy| dru|