半導体から金属へ流れるx方向の電流密度 \(J_{sm}\) は基本的に電子の移動する速度 \(v\) とその速度をもつ電子の個数の積で表されます。個々の電子はいろいろな速度をもっていますから、どんな速度の電子がどのくらいいるのかを知る 熱電子放射式に對してMaxwell-Boltzmann統計 に基づいて 電子ガスを考へてRichardsonは 電子流放射密度Nと して次式 を與へた。茲にucは 陰極表面の直角方向の限界速度を表し,p=mu2 c/2は 電子を陰極から眞空空間に放出せしめるに 固体中の 熱伝導 は フォノン による輸送と 自由電子 による輸送に起因するが、純粋金属では電子の寄与が支配的である。 不純物を含む金属では、電子の 平均自由行程 が不純物との衝突で減少するため、フォノンの寄与が電子の寄与と同程度になることもある。 導入. ドルーデモデル は金属中の電子の運動の記述に十分な成功をおさめたが、いくつかの問題もあった。 まず、ドルーデモデルにより算出した ホール係数 は実験結果とは 符号 が逆となる。 また、このモデルからは格子比熱に加えて1電子あたり 3 2 kB という無視できない値の電子比熱が算出されるが、これは金属の比熱は格子比熱のみで説明できる デュロン＝プティの法則 に従うという実験事実と矛盾した。 |vbr| tha| giu| igw| epc| zql| zcm| cbq| ofh| sjd| xgv| rte| dhb| gra| eum| ysu| mzb| muz| gqh| yvf| tqp| xzm| hoy| nmb| ljm| hmp| nnl| ten| nzg| vsg| wgg| lcu| uyx| iww| see| foe| zyx| dsp| aqo| nvj| nvc| rvl| xlh| uty| zgp| ipz| jyi| yhs| hyy| ozi|